Ion-Sistem Deposisi Film Tipis Berbantuan

Ion-Sistem Deposisi Film Tipis Berbantuan

Rincian
Sistem Deposisi Film Tipis Berbantuan Ion mengintegrasikan berkas elektron multi-kantong/evaporasi termal dengan sumber ion tipe End-Hall atau Kaufman-performa tinggi. Selama pengendapan uap fisik (PVD), pemboman ion energik mentransfer momentum langsung ke adatom pada permukaan substrat, menghilangkan rongga struktur mikro kolom dan menghasilkan film tipis dengan kepadatan tinggi dan stabil terhadap lingkungan.
Klasifikasi produk
Ion-Peralatan Film Tipis Evaporasi Berbantuan
 
Kirim permintaan
Deskripsi
Parameter teknis

Sistem Deposisi Film Tipis Berbantuan Ion Industri


Sistem Deposisi Film Tipis Berbantuan Ion mengintegrasikan berkas elektron multi-kantong/evaporasi termal dengan sumber ion tipe End-Hall atau Kaufman-performa tinggi. Selama pengendapan uap fisik (PVD), pemboman ion energik mentransfer momentum langsung ke adatom pada permukaan substrat, menghilangkan rongga struktur mikro kolom dan menghasilkan film tipis dengan kepadatan tinggi dan stabil terhadap lingkungan.


Dirancang untuk fabrikasi optik presisi, mikroelektronika semikonduktor, dan fasilitas R&D yang canggih, platform ini memberikan kemampuan pengulangan batch{0}}ke-yang ketat untuk filter interferensi optik yang kompleks, lapisan pelindung keras, dan lapisan pasivasi semikonduktor.

 

Spesifikasi Teknis

 

Parameter

Spesifikasi

Dimensi Ruang

Φ 600 mm × 600 mm (Skala khusus tersedia hingga Φ 1200 mm)

Tekanan Dasar Utama

< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (Fully baked, dry pumping architecture)

Suite Pemompaan Vakum

Pompa Turbomolekuler Melayang Secara Magnetik 1600 L/dtk yang didukung oleh kombinasi pompa kering akar/gulir bebas minyak

Sumber Penguapan

Multi-saku E-beam Gun (kontrol sapuan 4 × 10 kW) dan sumber termal resistansi

Konfigurasi Sumber Ion

Ujung Tanpa Jaringan-Aula / Sumber Kaufman Berjaringan (Energi Pancaran: 50–1500 eV, Arus Ion: hingga 250 mA)

Perlengkapan Substrat

Tahap rotasi planet berkecepatan-bervariasi dengan pemanasan media terintegrasi hingga 350 derajat

Keseragaman Ketebalan Film

< ± 1% (measured across Φ 400 mm effective deposition zone)

Sistem Pengendalian Proses

Inti PLC terintegrasi dengan PC industri yang menjalankan perangkat lunak otomatisasi SCADA yang digerakkan oleh resep-

 

Fitur Utama


Momentum-Peningkatan Struktur Mikro:Bantuan ion yang terkontrol meningkatkan mobilitas permukaan adatom, secara efektif menekan pertumbuhan butiran kolumnar berpori dan menghilangkan pergeseran indeks bias yang disebabkan oleh penyerapan air.


Umpan Balik-Ketebalan Saluran Ganda:Mengintegrasikan probe keseimbangan mikro kristal kuarsa (QCM) ganda bersama port pemantauan optik broadband (BOM) untuk pengaturan kecepatan dan ketebalan skala-nanometer-waktu nyata.


Ruang Vakum Sangat-Bersih:Dibuat dari baja tahan karat 304L dengan pelapis elektro-internal yang dipoles, katup gerbang PPN logam-yang tersegel, dan flensa gasket logam pneumatik-untuk meminimalkan pelepasan gas.


Tertutup-Peraturan Gas Reaktif Loop:Pengontrol aliran massa (MFC) presisi tinggi mengukur oksigen reaktif, nitrogen, dan gas argon dengan resolusi sub-sccm untuk mengamankan lapisan senyawa stoikiometri.

 

Konfigurasi Sistem Vakum


Garis Hidup Seadanya:Pompa gulir kering yang tertutup rapat dan bebas minyak-menghilangkan risiko kontaminasi hidrokarbon pada tahap roughing dan foreline.


Integrasi Vakum Tinggi:Pompa turbomolekuler Maglev yang digabungkan langsung ke ruang utama melalui-katup gerbang pneumatik konduktansi tinggi memaksimalkan kecepatan pemompaan untuk proses dan sisa uap air.


Diagnostik Vakum:Pengukur Pirani dan Katoda Dingin yang berlebihan memberikan pencatatan tekanan-yang dikalibrasi silang secara terus menerus dari atmosfer hingga 10⁻⁷ Pa.

 

Bahan Evaporasi & Kompatibilitas Substrat


Bahan Evaporasi:Oksida Dielektrik: SiO₂, TiO₂, Ta₂O₅, Nb₂O₅, HfO₂, Al₂O₃


Fluorida:MgF₂, LaF₃


Logam Tahan Api:Au, Ag, Al, Ti, Cr, NiCr


Subtipe Substrat:Kaca optik kosong (BK7, silika leburan, kuarsa), wafer semikonduktor (Silikon, GaAs), substrat kristal tunggal (LiNbO₃, safir), dan komponen logam presisi.

 

Aplikasi


Optik Presisi:Filter-division multiplexing (WDM) dengan panjang gelombang pita sempit, cermin garis laser, dan lapisan anti-refleksi (AR) yang tahan lama untuk-sistem laser berdaya tinggi.


Fabrikasi Semikonduktor:Dielektrik oksida gerbang, lapisan benih adhesi interkoneksi logam, dan mantel pasivasi-penghalang kelembapan.


Optoelektronik Tingkat Lanjut:Polarizer-film tipis, lapisan pelapis pandu gelombang, dan film panel sentuh-oksida konduktif transparan.

 

Kustomisasi


Penutup Kamar:Stoples bel silinder vertikal-, konfigurasi kotak persegi-pintu ganda, atau desain pintu masuk-ruang bersih.


Modularitas Sumber:Jumlah kantong wadah khusus, integrasi katoda sputtering magnetron sekunder, atau pengaturan daya bias RF khusus.


Arsitektur Otomasi:Logika interlock PLC yang disesuaikan, tingkat izin keamanan SCADA, dan protokol pencatatan data host SECS/GEM.

 

Kontrol Kualitas


Validasi Komponen:Semua flensa struktural, umpan vakum, elektronika daya, dan pengontrol aliran massa menjalani pengujian dimensi individual dan bangku listrik sebelum perakitan.


Sertifikasi Kebocoran:Ruang rakitan menjalani pengujian kebocoran spektrometer massa helium; ambang penolakan harus tetap di bawah 1,0 × 10⁻⁹ Pa·m³/s.


Pengujian Penerimaan Pabrik (FAT):Validasi pengeringan wajib selama 72-jam terus menerus-yang mencakup kurva drawdown pemompaan, mekanika rotasi planet multi-sumbu, loop pengaman interlock, dan stabilitas emisi senjata e-beam.

 

Instalasi & Dukungan Teknis


Dokumentasi:Dikirim dengan gambar perakitan mekanis, skema kelistrikan, tata letak P&ID, register sumber logika PLC, dan panduan pemeliharaan preventif.


Komisioning{{0}di Lokasi:Insinyur layanan lapangan mengarahkan penentuan posisi mekanis, sambungan utilitas (listrik, air pendingin, udara bertekanan), dan pemanggangan-sistem awal.


Pelatihan Proses:Mencakup proses kalibrasi dasar, penyetelan parameter sumber ion, dan pelatihan protokol keselamatan operator.


Perawatan Siklus Hidup:Dukungan diagnostik jarak jauh melalui modul VPN terenkripsi, stok suku cadang regional, dan audit kalibrasi terjadwal.

 

Pertanyaan Umum

 

T: Bagaimana cara memantau ketebalan lapisan selama proses pengendapan multi-lapisan?

J: Sistem ini menggunakan keseimbangan mikro kristal kuarsa ganda (QCM) untuk-pelacakan laju dan ketebalan secara real-time. Untuk tumpukan interferensi optik yang kompleks, ini terintegrasi dengan sistem pemantauan optik broadband untuk memperbaiki titik terminasi lapisan langsung dari kurva transmisi spektral.

T: Infrastruktur utilitas apa yang diperlukan di lokasi instalasi?

A: Pasokan Listrik: 3 fase, 380V / 480V, 50/60Hz (dikonfigurasi sesuai standar jaringan regional).
Air Pendingin: Suhu 15–20 derajat, laju aliran minimum 30 L/mnt, tekanan suplai 0,3–0,4 MPa.
Process Gases: Ultra-high purity (>99,999%) Ar, O₂, dan N₂ diatur dengan bersih pada 0,15 MPa.

Q: Berapa lama waktu tunggu standar dari konfirmasi pesanan hingga pengiriman?

J: Konfigurasi standar biasanya memerlukan 16 hingga 20 minggu. Dimensi ruang yang dapat disesuaikan sepenuhnya atau platform integrasi multi-sumber memerlukan waktu 24 hingga 30 minggu, bergantung pada persetujuan desain teknis-dan pengadaan komponen khusus.

 

Tag populer: ion-sistem deposisi film tipis berbantuan ion, produsen, pemasok, pabrik sistem deposisi film tipis berbantuan ion-China, mengisolasi peralatan film tipis, peralatan film tipis plasma, Sistem Pelapisan Film Tipis, peralatan deteksi cacat film tipis, Peralatan film tipis untuk aplikasi manufaktur elektronik, peralatan pengemasan film tipis

Kirim permintaan
Hubungi kamijika Anda memiliki pertanyaan

Anda dapat menghubungi kami melalui telepon, email atau formulir online di bawah ini. Spesialis kami akan segera menghubungi Anda kembali.

Hubungi sekarang!