Sistem Film Tipis Ion-Assisted Evaporation (IAE) mengintegrasikan deposisi uap fisik (PVD) dengan bombardir berkas ion energik. Selama penguapan termal atau berkas elektron, sumber ion Kaufman atau End-Hall mengarahkan ion argon atau gas reaktif ke substrat yang sedang tumbuh. Transfer momentum ini meningkatkan mobilitas adatom, menghilangkan rongga kolom, dan menghasilkan film yang padat, stabil-kelembaban dengan indeks bias hampir-bulk dan penyimpangan termal minimal.
Dirancang untuk lingkungan produksi dan penelitian yang memerlukan kontrol ketat terhadap konstanta optik dan tegangan sisa, sistem ini mengakomodasi senjata berkas elektron multi-kantong, evaporator resistansi, dan perlengkapan media yang dapat disesuaikan.
Spesifikasi Teknis
|
Parameter |
Spesifikasi |
|
Tekanan Dasar Utama |
< 5.0 x 10^-6 Pa (achieved within 40 minutes via high-throughput cryo/turbomolecular pumping) |
|
Tekanan Kerja |
1,0 x 10^-1 hingga 1,0 x 10^-2 Pa (selama injeksi gas reaktif) |
|
Rotasi Substrat |
Kecepatan variabel rotasi planet atau-sumbu tunggal: 0–30 RPM, opsi kontrol air/pemanas- |
|
Sumber Penguapan |
1 hingga 4 kantong E-beam gun (6kW–15kW) dan/atau sumber resistansi multi-saluran |
|
Jenis Sumber Ion |
Ujung Tanpa Jaringan-Sumber ion Kaufman Hall atau Jaringan (50–500 eV, 0–1000 mA) |
|
Pengulangan Proses |
<= +/- 0.15% batch-to-batch optical thickness repeatability over a 500mm carrier area |
|
Bahan Kamar |
Baja tahan karat 304L, dinding bagian dalam elektro-dipoles hingga Ra < 0,25 um |
Fitur Utama
Transfer Momentum Ion-Waktu Nyata:Pengeboman yang dibantu ion-memadat struktur mikro, menekan penyerapan kelembapan lingkungan dan pergeseran indeks bias. Analisis SEM-penampang memverifikasi pembentukan rongga nol kolom dalam tumpukan oksida.
Tertutup-Peraturan Kecepatan Perulangan:Antarmuka catu daya yang dikontrol PID-langsung dengan sensor Quartz Crystal Microbalance (QCM) multi-saluran untuk menjaga stabilitas laju deposisi dalam +/- 0.1 Å/s.
Manajemen Termal Cacat Rendah:Rakitan pemanas radiasi memungkinkan pembersihan awal substrat dan anil di tempat hingga 400 derajat dengan keseragaman +/- 2.5 derajat.
Pemeliharaan-Perputaran Cepat:Flensa-sumber akses cepat dan rakitan jaringan-ion modular memungkinkan pemeliharaan internal lengkap dan target pengisian ulang dalam waktu kurang dari 2 jam, meminimalkan waktu henti ruang bersih yang tidak terjadwal.
Konfigurasi Sistem Vakum
Tumpukan Pemompaan:Pompa pendukung (Roots + baling-baling putar) dipasangkan dengan pompa turbomolekuler throughput tinggi (kapasitas 1600 L/dtk) atau pompa krio (1500 L/dtk) yang dirancang untuk menangani beban gas reaktif selama proses IAE berkecepatan tinggi.
Katup & Penyegelan:Katup gerbang pneumatik dan segel ganda Viton/logam-mengisolasi ruang proses dari garis kasar, mencegah aliran balik hidrokarbon.
Interlock Tekanan:Pengurutan PLC otomatis memantau tekanan garis depan, laju aliran air pendingin, dan pasokan udara terkompresi sebelum aktivasi senjata sinar E{-tegangan tinggi.
Bahan Evaporasi & Kompatibilitas Substrat
Bahan Penguapan:Oksida (TiO2, ZrO2, SiO2, Al2O3), fluorida (MgF2), dan logam dengan kemurnian-tinggi (Au, Ag, Al, Ti).
Bahan Substrat:Kaca optik (BK7, silika leburan), wafer silikon (hingga 300 mm), semikonduktor majemuk (GaAs, InP), dan keramik/logam.
Perlengkapan:Penahan substrat aluminium atau baja tahan karat yang dibuat khusus dan dirancang untuk konduktivitas termal dan pembentukan partikel minimal selama rotasi planet.
Aplikasi & Seri yang Dapat Dikonfigurasi
Seri-O (Optik Presisi):Dioptimalkan untuk filter interferensi optik multi-lapisan, cermin laser, dan pelapis AR. Terintegrasi dengan pemantauan optik broadband (OMS) dan rotasi planet berkepadatan tinggi untuk memastikan pergeseran spektral < 0,1% pada perubahan kelembapan sekitar.
Seri-S (Kemasan & Sensor Semikonduktor):Direkayasa untuk-lapisan benih logam bersuhu rendah dan pasivasi dielektrik pada wafer silikon 200mm/300mm dengan kompatibilitas kunci-beban bebas-partikel.
Seri-R (R&D / Riset Material Tingkat Lanjut):Arsitektur ruang yang sangat fleksibel mendukung sumber ion ganda dan pertukaran dek-sumber yang cepat untuk laboratorium universitas dan pusat penelitian dan pengembangan perusahaan.
Kustomisasi & Integrasi Rekayasa
Dimensi Ruang:Volume internal khusus mulai dari diameter 600 mm hingga 1200 mm.
Tingkat Otomatisasi:Resep PLC semi-otomatis atau resep tanpa pengawasan sepenuhnya dikontrol melalui perangkat lunak SCADA layar sentuh industri dengan Audit Trail (opsi yang sesuai dengan 21 CFR Bagian 11 tersedia untuk produksi medis/sensor).
Port Diagnostik:Flensa NW/CF ekstra yang dialokasikan untuk-ellipsometri spektroskopi in-situ atau penganalisis gas sisa (RGA).
Kontrol Kualitas & Verifikasi Pabrik
Deteksi Kebocoran:Setiap ruang vakum menjalani pengujian kebocoran spektrometer massa helium hingga ambang batas < 1 x 10^-10 Pa*m^3/s sebelum dirilis oleh pabrik.
Validasi Mikrostruktur:QA standar mencakup pemeriksaan sampel SEM lintas bagian opsional untuk memverifikasi kepadatan film dan keseragaman struktur.
Keamanan Listrik:Resistansi isolasi-tegangan tinggi, kontinuitas grounding, dan pengujian respons interlock dilakukan sesuai standar CE/SEMI S2.
Instalasi & Dukungan Teknis
Pengujian Penerimaan Pabrik (FAT):Selesai di fasilitas manufaktur kami; klien menerima laporan pengoperasian dasar yang memverifikasi tekanan dasar, stabilitas laju deposisi, dan keluaran arus ion.
Pengujian Penerimaan Situs (SAT):Insinyur-di lokasi mengawasi rigging, sambungan utilitas (air pendingin, listrik, udara bertekanan, gas proses), dan proses kalibrasi.
Dokumentasi:Manual servis yang komprehensif mencakup skema kelistrikan, tag logika sumber PLC, diagram perpipaan vakum, dan daftar komponen habis pakai.
Pertanyaan Umum
Q: Bagaimana bantuan ion mempengaruhi tekanan film dalam tumpukan dielektrik?
J: Pemboman ion yang energik memadatkan batas butir dan menetralkan tegangan tarik yang biasanya ditemukan pada film yang menguap, sehingga memungkinkan penyesuaian tegangan dari keadaan tarik hingga mendekati-nol atau sedikit tekanan dengan menyesuaikan energi berkas ion dan kepadatan arus.
T: Berapa keterulangan sistem-ke-batch yang terbukti?
J: Melalui pengujian siklus hidup 300 kali yang dijalankan secara terus-menerus menggunakan dielektrik oksida standar (SiO2/Ta2O5), sistem mempertahankan kemampuan pengulangan ketebalan optik sebesar<= +/- 0.15% across a 500mm carrier area.
T: Utilitas apa yang diperlukan di lokasi instalasi?
A: Standard requirements include 3-phase 380V/480V AC, chilled cooling water (18–22°C, >= 5 bar), udara bertekanan (0,6 MPa), dan ventilasi pembuangan untuk pompa mekanis. Pemetaan utilitas yang tepat diberikan selama perencanaan fasilitas.
Tag populer: ion-sistem film tipis evaporasi berbantuan, Cina produsen, pemasok, pabrik sistem film tipis evaporasi berbantuan ion-, mengisolasi peralatan film tipis, peralatan film tipis plasma, Sistem Pelapisan Film Tipis, peralatan deteksi cacat film tipis, Peralatan film tipis untuk aplikasi manufaktur elektronik, peralatan pengemasan film tipis

