Ion-Sistem Film Tipis Evaporasi Berbantuan

Ion-Sistem Film Tipis Evaporasi Berbantuan

Rincian
Sistem Film Tipis Ion-Assisted Evaporation (IAE) mengintegrasikan deposisi uap fisik (PVD) dengan bombardir berkas ion energik. Selama penguapan termal atau berkas elektron, sumber ion Kaufman atau End-Hall mengarahkan ion argon atau gas reaktif ke substrat yang sedang tumbuh. Transfer momentum ini meningkatkan mobilitas adatom, menghilangkan rongga kolom, dan menghasilkan film yang padat, stabil-kelembaban dengan indeks bias hampir-bulk dan penyimpangan termal minimal.
Klasifikasi produk
Ion-Peralatan Film Tipis Evaporasi Berbantuan
 
Kirim permintaan
Deskripsi
Parameter teknis

Sistem Film Tipis Ion-Assisted Evaporation (IAE) mengintegrasikan deposisi uap fisik (PVD) dengan bombardir berkas ion energik. Selama penguapan termal atau berkas elektron, sumber ion Kaufman atau End-Hall mengarahkan ion argon atau gas reaktif ke substrat yang sedang tumbuh. Transfer momentum ini meningkatkan mobilitas adatom, menghilangkan rongga kolom, dan menghasilkan film yang padat, stabil-kelembaban dengan indeks bias hampir-bulk dan penyimpangan termal minimal.


Dirancang untuk lingkungan produksi dan penelitian yang memerlukan kontrol ketat terhadap konstanta optik dan tegangan sisa, sistem ini mengakomodasi senjata berkas elektron multi-kantong, evaporator resistansi, dan perlengkapan media yang dapat disesuaikan.

 

Spesifikasi Teknis

 

Parameter

Spesifikasi

Tekanan Dasar Utama

< 5.0 x 10^-6 Pa (achieved within 40 minutes via high-throughput cryo/turbomolecular pumping)

Tekanan Kerja

1,0 x 10^-1 hingga 1,0 x 10^-2 Pa (selama injeksi gas reaktif)

Rotasi Substrat

Kecepatan variabel rotasi planet atau-sumbu tunggal: 0–30 RPM, opsi kontrol air/pemanas-

Sumber Penguapan

1 hingga 4 kantong E-beam gun (6kW–15kW) dan/atau sumber resistansi multi-saluran

Jenis Sumber Ion

Ujung Tanpa Jaringan-Sumber ion Kaufman Hall atau Jaringan (50–500 eV, 0–1000 mA)

Pengulangan Proses

<= +/- 0.15% batch-to-batch optical thickness repeatability over a 500mm carrier area

Bahan Kamar

Baja tahan karat 304L, dinding bagian dalam elektro-dipoles hingga Ra < 0,25 um

 

 

Fitur Utama


Transfer Momentum Ion-Waktu Nyata:Pengeboman yang dibantu ion-memadat struktur mikro, menekan penyerapan kelembapan lingkungan dan pergeseran indeks bias. Analisis SEM-penampang memverifikasi pembentukan rongga nol kolom dalam tumpukan oksida.


Tertutup-Peraturan Kecepatan Perulangan:Antarmuka catu daya yang dikontrol PID-langsung dengan sensor Quartz Crystal Microbalance (QCM) multi-saluran untuk menjaga stabilitas laju deposisi dalam +/- 0.1 Å/s.


Manajemen Termal Cacat Rendah:Rakitan pemanas radiasi memungkinkan pembersihan awal substrat dan anil di tempat hingga 400 derajat dengan keseragaman +/- 2.5 derajat.


Pemeliharaan-Perputaran Cepat:Flensa-sumber akses cepat dan rakitan jaringan-ion modular memungkinkan pemeliharaan internal lengkap dan target pengisian ulang dalam waktu kurang dari 2 jam, meminimalkan waktu henti ruang bersih yang tidak terjadwal.

 

Konfigurasi Sistem Vakum


Tumpukan Pemompaan:Pompa pendukung (Roots + baling-baling putar) dipasangkan dengan pompa turbomolekuler throughput tinggi (kapasitas 1600 L/dtk) atau pompa krio (1500 L/dtk) yang dirancang untuk menangani beban gas reaktif selama proses IAE berkecepatan tinggi.


Katup & Penyegelan:Katup gerbang pneumatik dan segel ganda Viton/logam-mengisolasi ruang proses dari garis kasar, mencegah aliran balik hidrokarbon.


Interlock Tekanan:Pengurutan PLC otomatis memantau tekanan garis depan, laju aliran air pendingin, dan pasokan udara terkompresi sebelum aktivasi senjata sinar E{-tegangan tinggi.

 

Bahan Evaporasi & Kompatibilitas Substrat


Bahan Penguapan:Oksida (TiO2, ZrO2, SiO2, Al2O3), fluorida (MgF2), dan logam dengan kemurnian-tinggi (Au, Ag, Al, Ti).


Bahan Substrat:Kaca optik (BK7, silika leburan), wafer silikon (hingga 300 mm), semikonduktor majemuk (GaAs, InP), dan keramik/logam.


Perlengkapan:Penahan substrat aluminium atau baja tahan karat yang dibuat khusus dan dirancang untuk konduktivitas termal dan pembentukan partikel minimal selama rotasi planet.

 

Aplikasi & Seri yang Dapat Dikonfigurasi

 

Seri-O (Optik Presisi):Dioptimalkan untuk filter interferensi optik multi-lapisan, cermin laser, dan pelapis AR. Terintegrasi dengan pemantauan optik broadband (OMS) dan rotasi planet berkepadatan tinggi untuk memastikan pergeseran spektral < 0,1% pada perubahan kelembapan sekitar.


Seri-S (Kemasan & Sensor Semikonduktor):Direkayasa untuk-lapisan benih logam bersuhu rendah dan pasivasi dielektrik pada wafer silikon 200mm/300mm dengan kompatibilitas kunci-beban bebas-partikel.


Seri-R (R&D / Riset Material Tingkat Lanjut):Arsitektur ruang yang sangat fleksibel mendukung sumber ion ganda dan pertukaran dek-sumber yang cepat untuk laboratorium universitas dan pusat penelitian dan pengembangan perusahaan.

 

Kustomisasi & Integrasi Rekayasa


Dimensi Ruang:Volume internal khusus mulai dari diameter 600 mm hingga 1200 mm.


Tingkat Otomatisasi:Resep PLC semi-otomatis atau resep tanpa pengawasan sepenuhnya dikontrol melalui perangkat lunak SCADA layar sentuh industri dengan Audit Trail (opsi yang sesuai dengan 21 CFR Bagian 11 tersedia untuk produksi medis/sensor).


Port Diagnostik:Flensa NW/CF ekstra yang dialokasikan untuk-ellipsometri spektroskopi in-situ atau penganalisis gas sisa (RGA).

 

Kontrol Kualitas & Verifikasi Pabrik


Deteksi Kebocoran:Setiap ruang vakum menjalani pengujian kebocoran spektrometer massa helium hingga ambang batas < 1 x 10^-10 Pa*m^3/s sebelum dirilis oleh pabrik.


Validasi Mikrostruktur:QA standar mencakup pemeriksaan sampel SEM lintas bagian opsional untuk memverifikasi kepadatan film dan keseragaman struktur.


Keamanan Listrik:Resistansi isolasi-tegangan tinggi, kontinuitas grounding, dan pengujian respons interlock dilakukan sesuai standar CE/SEMI S2.

 

Instalasi & Dukungan Teknis


Pengujian Penerimaan Pabrik (FAT):Selesai di fasilitas manufaktur kami; klien menerima laporan pengoperasian dasar yang memverifikasi tekanan dasar, stabilitas laju deposisi, dan keluaran arus ion.


Pengujian Penerimaan Situs (SAT):Insinyur-di lokasi mengawasi rigging, sambungan utilitas (air pendingin, listrik, udara bertekanan, gas proses), dan proses kalibrasi.


Dokumentasi:Manual servis yang komprehensif mencakup skema kelistrikan, tag logika sumber PLC, diagram perpipaan vakum, dan daftar komponen habis pakai.

 

Pertanyaan Umum

 

Q: Bagaimana bantuan ion mempengaruhi tekanan film dalam tumpukan dielektrik?

J: Pemboman ion yang energik memadatkan batas butir dan menetralkan tegangan tarik yang biasanya ditemukan pada film yang menguap, sehingga memungkinkan penyesuaian tegangan dari keadaan tarik hingga mendekati-nol atau sedikit tekanan dengan menyesuaikan energi berkas ion dan kepadatan arus.

T: Berapa keterulangan sistem-ke-batch yang terbukti?

J: Melalui pengujian siklus hidup 300 kali yang dijalankan secara terus-menerus menggunakan dielektrik oksida standar (SiO2/Ta2O5), sistem mempertahankan kemampuan pengulangan ketebalan optik sebesar<= +/- 0.15% across a 500mm carrier area.

T: Utilitas apa yang diperlukan di lokasi instalasi?

A: Standard requirements include 3-phase 380V/480V AC, chilled cooling water (18–22°C, >= 5 bar), udara bertekanan (0,6 MPa), dan ventilasi pembuangan untuk pompa mekanis. Pemetaan utilitas yang tepat diberikan selama perencanaan fasilitas.

 

Tag populer: ion-sistem film tipis evaporasi berbantuan, Cina produsen, pemasok, pabrik sistem film tipis evaporasi berbantuan ion-, mengisolasi peralatan film tipis, peralatan film tipis plasma, Sistem Pelapisan Film Tipis, peralatan deteksi cacat film tipis, Peralatan film tipis untuk aplikasi manufaktur elektronik, peralatan pengemasan film tipis

Kirim permintaan
Hubungi kamijika Anda memiliki pertanyaan

Anda dapat menghubungi kami melalui telepon, email atau formulir online di bawah ini. Spesialis kami akan segera menghubungi Anda kembali.

Hubungi sekarang!